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RTP電光開關
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RTP電光Q開關

RTP電光Q開關

  • 所屬分類:電光開關
  • 瀏覽次數:
  • 發布日期:2020-10-23
  • 產品概述
  • 性能特點
  • 技術參數

  RTP(Rubidium Titanyle Phosphate–RbTiOPO4)是KTP晶體的同類型晶體,有更高的電光性能,可用于電光效應以及非線性效應方面。RTP晶體具有較高的損傷閾值(約為KTP的1.8倍)、電阻率高、重復頻率高、不潮解、機械化學性能穩定,不產生壓電效應等優點。RTP透過范圍非常寬,在400nm到4μm之間都有良好的光學透過率,其透過范圍從350nm-4500nm,并且對于腔內激光操作效果非常好。RTP的高抗光傷閾值優勢顯著,在1064nm波段可達到1GW/cm2,1ns,10Hz。


RTP電光開關


主要優勢:
  ●高重復頻率電光應用的優良晶體
  ●較大的非線性光學和電光系數
  ●低半波電壓
  ●無壓電振蕩效應,不潮解

  ●高抗光損傷閾值,高消光比



主要應用:
  ●電光調Q開關(激光測距、激光雷達、醫用激光器、工業激光器)
  ●激光功率/相位調制

  ●脈沖選擇器


標準要求:

1064nm傳輸率

>98.5%

可用孔徑

3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12mm

1064nm半波電壓

1000V (3x3x10+10)

普克爾盒尺寸  

常規尺寸Dia. 25.4 x 35mm (給3x3 通光, 4x4通光, 5x5 通光),其他口徑也可訂制外殼,按客戶要求訂制

都可提供緊湊設計的底座支架

消光比

>23dB

接受角度

>1°

損傷閾值

>600MW/cm2 at 1064nm (t = 10ns) 膜層

穩定性能溫度范圍

-50℃ – +70℃

  備注:快譜光電能夠為您的應用提供優化的設計、高質量、高效率,完善功能的RTP晶體電光開關(RTP晶體普克爾盒)和配套驅動。

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