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RTP電光開關
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H-KTP電光Q開關

H-KTP電光Q開關

  • 所屬分類:電光開關
  • 瀏覽次數:
  • 發布日期:2020-10-23
  • 產品概述
  • 性能特點
  • 技術參數

產品詳情:
  H-KTP晶體,采用水熱法生長,克服了普通熔鹽法KTP晶體常見的缺陷——“灰跡(Gray Track)”現象,具有高抗激光損傷閾值和高抗灰跡的能力,能夠長期穩定的應用于中高功率、高重復頻率和高轉換效率的激光系統。
  H-KTP晶體有良好的電光效應,可以用來做電光調Q開關電光調制開關(普克爾盒), 我司可以提供H-KTP電光Q開關配套的水冷結構設計,因此可以應用于更高功率。快譜光電專業提供各種電光開關,接受特殊定制,定制設計周期為1 - 2周,應用于各種復雜環境,應用功率可高達幾百瓦。

H-KTP電光Q開關


產品特性:

       ●高轉換效率:60% - 70%

       ●高光學均勻性:Δn<10-5

       ●低電導率:10-10/Ω?cm

       ●單疇結構

       ●低吸收率:<2000ppm/cm @532mm

       <150ppm/cm @1064mm

 


H-KTP電光Q開關


H-KTP電光Q開關


H-KTP標準要求

通光口徑

2mm × 2mm to 8mm × 8mm

zui大通光長度

15mm

尺寸公差

(寬±0.1mm)×(高±0.1mm)×(長±0.2mm)

zui大平均能量密度

4kW/cm2 @532nm

波前畸變

<λ/8 @633nm

通光面平面度

<λ/8 @633nm

通光面光潔度

<10/5 (美軍標MIL-13830A)

通光面平行度

<20秒

側面垂直度

<5分

常用膜

AR/AR@1064&532nm

增透膜反射率

R< 0.2% @1064nm,R<0.5% @532 nm

增透膜損傷閾值

600MW/cm2 1064nm 10ns 10Hz

1064nm 光的透過率

>98.5%

應用范圍:
  ●脈沖選擇
  ●電光調制、電光調Q


產品優點:
  ●低插入損耗
  ●低半波電壓
  ●不潮解
  ●寬的透光波段
  ●高抗激光損傷閾值
  ●無壓電振鈴效應
  ●自動溫度補償范圍寬 


產品規格:

標準規格(Z切DKDP晶體)

單晶DKDP開關

序列號

通光孔徑

外殼尺寸(可按客戶設計)

四分之波電壓

電容

CPHPC-4

3.6 mm

Ф20×35mm

1000V at 20oC

<4pF

CPDPC-8

7.6 mm

加底座支架

2000V at 20oC

<5pF

消光比

>150:1




光學性質

 H-KTP電光Q開關


H-KTP電光開關在100kHz下工作:


H-KTP電光Q開關



 

 



 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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