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DKDP電光調制模塊

2020-01-03

DKDP電光調制模塊主要特點:

·重復頻率0~400Hz

·晶壓2.0~5.0KV

·脈沖前沿≤10ns

·EMI/RFI屏蔽封裝

·TTL電平觸發光耦隔離

·輸入12±1VDC

·外置電位器控制輸出高壓

·高可靠性、全溫度范圍

 

DKDP電光調制模塊


應用范圍:

1.KD*P   2.LINbO 

3.其他光電晶體

(驅動Pockels cells)

應用范例:

a.中低重頻LD泵浦調Q固體激光器 

b.燈泵調Q固體激光器

模塊參數:

 

類型

數值

單位

備注

輸出電壓

2.0~5.0

kV


退壓/升壓時間

≤10

ns

負載為10PF

延時抖動

≤2

ns


恢復時間

≤100

μs

與負載相關

電源輸入

12

VDC

功耗小于2.5W

工作頻率

0~400

Hz

支持單次工作

模塊尺寸

68*37*15

mm

尺寸包括兩側安裝孔位

工作溫度

-40~60


存儲溫度

-40~85


模塊重量

75

g



升壓模塊接線定義:

編號

定義

說明

1

+12V

輸入電源+

2

GND

輸入電源-

3

SG-

觸發脈沖信號-(上升沿觸發)

4

SG+

觸發脈沖信號+(上升沿觸發)

5

FB1

接控制電位器一端 100KΩ

6

FB2

接控制電位器一端 100KΩ

7

EN-

高壓使能控制-

8

EN+

高壓使能控制+

9

GND

輸出地

10

HVPULSE

高壓升壓脈沖輸出端



注意:

1.”SG+ SG-”與“EN+ EN-”控制信號輸入模塊內部為光耦隔離設置

2. EN+ EN-為高壓使控制端(光耦輸入端)。不接或接入低電平高壓使能,接入高電平(3.3V/5.0V)高壓輸出為0.

3.SG+ SG-為外觸發信號輸入端(光耦輸入端)(3.3V/5.0V TTL)。輸入信號為上升沿觸發,外觸發信號與升壓脈沖輸出延時<75ns

4.請將“HVPULSE”與“GND”接入調Q晶體兩端

6.用高壓探頭測試輸出高壓脈沖,請將高壓探頭的地與輸出地“GND”連接,用高壓探頭測試“HVPULSE”端,輸出高壓脈沖為負高壓脈沖。

 

光耦隔離設置



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