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濟南快譜光電技術有限公司

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BBO電光Q開關資訊

2019-12-05

  相對于傳統的KD*P電光調制晶體,BBO(偏硼酸鋇β-BaB2O4)晶體具有極低的吸收系數,弱的壓電振鈴效應,更寬的光譜透過范圍(210-2000nm)等優點。相對于RTP電光調制晶體,BBO晶體具有更高的消光比、三倍頻晶體廠家告訴您:抗損傷閾值和溫度適應性,有利于提高激光輸出功率的穩定性。因此,由BBO晶體制成的電光Q開關常被應用于高重復頻率(1MHz),高功率(高達1000W)的電光調Q固體激光器,腔倒空調Q激光器和全固態皮秒、飛秒再生放大激光系統中,我們也提供配套的調制,調Q,選單,再生放大等驅動電源。由于電光Q開關的的關斷時間(<4ns)遠短于聲光Q開關的關斷時間(<100ns),因此,采用BBO電光 Q開關的全固態短腔調Q激光器可產生脈沖寬度小于4ns的高能激光,是作為電光內雕機的建議光源。在無需水冷的情況下,BBO電光Q開關可關斷并承受高達150W的腔內振蕩光功率(激光輸出功率高達50W)。BBO晶體缺點是電光系數小,半波電壓相對較高,因此可通過增長晶體長度、減少電極間距,以及采用兩塊BBO晶體串聯方式來減少半波電壓和四分之波電壓。COUPLETECH從應用角度特意推出單晶,雙晶BBO電光Q開關,BBO電光調制器等常規產品。


圖片.png

產品特點及優勢:
  ●插拔式電極插針
  ●硬陶瓷端蓋設計
  ●通光孔徑小于晶體橫截面的設計
  ●抗高功率抗高溫材料殼體設計
  ●特有的低應力裝配技術
  ●超高要求的晶體質量控制
  ●超小的體積,超輕的質量,超緊湊的設計



BBO電光晶體標準要求


截面

1 x 1 ~ 12 x 12 mm2 (其他尺寸可訂制)

長度

20mm - 28 mm (其他尺寸可訂制)

定向精度

10 arc min

平面度

λ/8 @ 633nm

透過畸變

λ/8 @ 633nm

光學平行

20 arc sec.

側垂

10 arc sec.

光潔度

10-5 膜后40-20

端面鍍膜

AR/AR @1064nm (R<0.2%)

(圖1)

  

 

BBO單晶電光開關規格參數

產品型號

CPBPC-02

CPBPC-03

CPBPC-04

CPBPC-05

CPBPC-02L

CPBPC-03L

CPBPC-04L

CPBPC-05L

通光孔徑, mm

1.8

2.8

3.6

4.6

1.8

2.8

3.6

4.6

晶體尺寸, (W×H×L), mm3

2x2x20

3x3x20

4x4x20

5x5x20

2x2x25

3x3x25

4x4x25

5x5x25

λ/4電壓 (@ 1064 nm), kV DC

2.4kV

3.6kV

4.8kV

6.0kV

1.9kV

~2.9kV

3.9kV

4.8kV

電容, pF

4

4

4

4

5

5

5

5

外殼尺寸mm

φ20×35

φ25×35

φ20×35

φ25×35

透過率(%)

99

消光比

>1000:1

通光孔徑 mm

Z大可供12x12截面

端面鍍膜波長

210-2000nm可訂制

抗光傷閾值

600MW/cm2 @10ns,10Hz,1064nm

(圖2)

 

BBO雙晶電光開關規格參數

產品型號

CPDBPC-03

CPDBPC-04

CPDBPC-05

CPDBPC-03L

CPDBPC-04L

CPDBPC-05L

通光孔徑, mm

2.8

3.6

4.6

2.8

3.6

4.6

晶體尺寸, (W×H×L), mm3

3x3x20

4x4x20

5x5x20

3x3x25

4x4x25

5x5x25

λ/4電壓 (@ 1064 nm), kV DC

1.8kV

2.4kV

3.0kV

1.5kV

2.0kV

2.4kV

電容, pF

8

8

8

10

10

10

透過率(%)

98

消光比(Voltage-Free)

>500:1

外殼尺寸, mm

25.4

x60

(圖3)



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